黑金剛電容介質(zhì)損耗

作者：Nippon Chemi-Con    發(fā)布時(shí)間：2022-06-02 16:51:42  訪問(wèn)量：4013  來(lái)源：ncc黑金剛電容

　　黑金剛電容介質(zhì)損耗

　　電容器在電場(chǎng)作用下消耗的能量，通常用損耗功率和電容器的無(wú)功功率之比，即損耗角的正切值表示(在電容器的等效電路中，串聯(lián)等效電阻ESR 同容抗 1/ωC 之比稱之為 Tan δ，這里的 ESR 是在 120Hz 下計(jì)算獲得的值。顯然，Tan δ隨著測(cè)量頻率的增加而變大，隨測(cè)量溫度的下降而增大)。損耗角越大，電容器的損耗越大，損耗角大的電容不適于高頻情況下工作。散逸因數(shù)dissipationfactor(DF)存在于所有電容器中，有時(shí)DF值會(huì)以損失角tanδ表示。此參數(shù)愈低愈好。但鋁電解電容此參數(shù)比較高。DF值是高還是低，就同一品牌、同一系列的電容器來(lái)說(shuō)，與溫度、容量、電壓、頻率……都有關(guān)系;當(dāng)容量相同時(shí)，耐壓愈高的DF值就愈低。此外溫度愈高DF值愈高，頻率愈高DF值也會(huì)愈高。

　　外型尺寸與重量及接腳型態(tài)相關(guān)。single ended是徑向引線式，screw是鎖螺絲式，另外還有貼片鋁電解電容等。至於重量，同容量同耐壓，但品牌不同的兩個(gè)電容做比較，重量一定不同;而外型尺寸更與外殼規(guī)劃有關(guān)。一般來(lái)說(shuō)，直徑相同、容量相同的電容，高度低的可以代用高度大的電容，但是長(zhǎng)度高的替代低的電容時(shí)就要考慮機(jī)構(gòu)干涉問(wèn)題。

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